认识相关电子元器件

集成电路（Integrated Circuit）都是由这些基础电子元器件组合而成，所以对于这些器件的使用，需要了解其特性，才能更方便灵活的使用他们；由于本文章收集的内容大多来自网络，所以可能存在错误或者遗漏，还请大家纠正补充，非常感谢。

电阻(Resistor)

在电磁学里，电阻是一个物体对于电流通过的阻碍能力，单位为：Ω（欧姆）。

器件符号	电路标识	关注参数
	R	阻值 功率

电容(Capacitance)

在电路学里，给定电压，电容器储存电荷的能力，单位为：F（法拉）。

器件符号	电路标识	关注参数
	C	容值 耐压

电感(Inductance)

电感是闭合回路的一种属性，即当通过闭合回路的电流改变时，会出现电动势来抵抗电流的改变，单位为：H（亨利）。

器件符号	电路标识	关注参数
	L	???

二极管()

二极管。

光耦(Optical Coupler)

光电耦合元件是以光（含可见光、红外线等）作为媒介来传输电信号的一组装置，其功能是平时让输入电路及输出电路之间隔离，在需要时可以使电信号通过隔离层的传送方式。光电耦合元件（英语：optical coupler，或英语：photo coupler），亦称光耦合器、光隔离器以及光电隔离器，简称光耦。

光电耦合元件可分为模拟与数字两种，都是由光发射器和光侦测器组成。光发射器和光侦测器通常会整合到同一个封装，但它们之间除了光束之外不会有任何电气或实体连接。

常见的光电耦合元件是将发光二极体（LED）及光电晶体（LED）放在一个不透明的封装中。其他的组合有LED-光电二极管、LED-LASCR及灯泡-光敏电阻。光电耦合元件一般会传递数字信号，但配合一些技术，也可以用光电耦合元件传送模拟信号。

光电耦合元件广泛用于电气隔离、电平转换、驱动电路及工业通讯中，但因为寄生输入输出电容问题，其共模瞬变抑制（Common-Mode Transient Immunity）能力较弱，此外，其速度受限、光电耦合元件的功耗较高，以及元件容易老化都是其问题。

器件符号	电路标识	关注参数
	O	???

压敏电阻()

压敏电阻。

瞬态抑制二极管()

瞬态抑制二极管。

三极管(BJT)

三极管是一种控制电流的半导体器件。
三极管的作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也可以用作无触点开关。
三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。
在模拟电路中，一般使用放大状态，用于将电流进行放大；而在数字电路中，主要用于三极管的开关特性，只用到了截止和饱和状态。
三极管有2种类型，分为NPN和PNP，区分口诀：箭头朝内PNP，箭头朝外PNP。
两种类型的三极管导通区分方法可以看箭头：箭头的始端比末端电压高0.7V就导通。

NPN型三极管

器件符号	电路标识	引脚定义	导通条件	关注参数	控制逻辑
	N	B:基极(Base) E:发射极(Emitter) C:集电极(Collector)	V(B) - V(E) > 0.7V	???	B作为控制端时，高电平时导通，低电平关断

PNP型三极管

器件符号	电路标识	引脚定义	导通条件	关注参数	控制逻辑
	N	B:基极(Base) E:发射极(Emitter) C:集电极(Collector)	V(E) - V(B) > 0.7V	???	B作为控制端时，高电平时关断，低电平导通

场效应管

场效应管是一种控制电压的半导体器件。

NMOS - N型金属氧化物半导体

器件符号	电路标识	引脚定义	导通条件	关注参数	使用场景
	Q	G:栅极(Gate) S:源极(Source) D:漏极(Drain)	V(G) - V(S) > V GS(th)	V DS V GS I D R DS(on) V GS(th)	NMOS一般用在信号控制上

选型时，我们需要关注以下参数：

1. 电流方向：漏极(Drain) —> 源极(Source)
2. V GS(th): 控制MOS导通时所需的栅极(Gate)，一般为正电压。
3. R DS(on): 漏极(Drain)与源极(Source)之间的电阻，电阻越小，MOS导通时压降越小，电流越大，反之亦然。
4. C GS: 栅极(Gate)与源极(Source)之间的电容，电容越小，充电时间越短，控制MOS管的时间也相应越短，反之亦然。

注意事项：

R DS(on) 与 C GS 成反比，这是由于制造工艺导致的，所以在选型时，需要权衡他们的参数。
NMOS在实际应用电路中，多作为下管使用，源极(Source)直接接地。
对于无源器件，一般使用NMOS作为下管使用。

示例电路：

PMOS - P型金属氧化物半导体

器件符号	电路标识	引脚定义	导通条件	关注参数	使用场景
	Q	G:栅极(Gate) S:源极(Source) D:漏极(Drain)	V(G) - V(S) > V GS(th)	V DS V GS I D R DS(on) V GS(th)	PMOS一般使用在电源开关上

选型时，我们需要关注以下参数：

1. 电流方向：源极(Source) —> 漏极(Drain)
2. V GS(th): 控制MOS导通时所需的栅极(Gate)，一般为负电压。
3. R DS(on): 漏极(Drain)与源极(Source)之间的电阻，电阻越小，MOS导通时压降越小，电流越大，反之亦然。
4. C GS: 栅极(Gate)与源极(Source)之间的电容，电容越小，充电时间越短，控制MOS管的时间也相应越短，反之亦然。

注意事项：

R DS(on) 与 C GS 成反比，这是由于制造工艺导致的，所以在选型时，需要权衡他们的参数。
PMOS在实际应用电路中，多作为上管使用，源极(Source)接电源（VCC）。
对于有源器件，一般使用PMOS作为上管使用。

电路示例

CMOS - NOMS+PMOS组合()

NOMS+PMOS组合。

运算放大器()

运算放大器。